周期表第V,VI族元素化合物半導體。共價鍵、離子鍵結(jié)合,有一定的范德瓦爾斯鍵成分,三角晶系,原胞為菱形六面體。密度6.5g/cm3。熔點620℃。禁帶寬度0.23eV。電阻率為3×10-6Ω·m時的塞貝克系數(shù)為100μV/K。溫差電優(yōu)質(zhì)系數(shù)0.9×10-3/K。采用布里奇曼方法制備。為溫差電材料。
中文名稱:碲化銻
英文名稱:antimony telluride crystal
純度:99.99% 99.999%
分子式:Sb2Te3
分子量:626.3
性質(zhì):周期表第V,VI族元素化合物半導體。共價鍵、離子鍵結(jié)合,有一定的范德瓦爾斯鍵成分,三角晶系,原胞為菱形六面體。密度6.5g/cm3。熔點620℃。禁帶寬度0.23eV。電阻率為3×10-6Ω·m時的塞貝克系數(shù)為100μV/K。溫差電優(yōu)質(zhì)系數(shù)0.9×10-3/K。采用布里奇曼方法制備。為溫差電材料。
中文名稱:碲化銻
英文名稱:antimony telluride crystal
純度:99.99% 99.999%
分子式:Sb2Te3
分子量:626.3